SCT2H12NYTB 가격 (USD) [25402PC 주식]
- 1 pcs$1.79360
- 400 pcs$1.78468
- 부품 번호:
- SCT2H12NYTB
- 제조사:
- Rohm Semiconductor
- 상세 설명:
- 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - IGBT - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB electronic components. SCT2H12NYTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT2H12NYTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT2H12NYTB 제품 속성
부품 번호 :
SCT2H12NYTB
제조사 :
Rohm Semiconductor
기술 :
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1700V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 410µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
14nC @ 18V
Vgs (최대) :
+22V, -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
184pF @ 800V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
44W (Tc)
작동 온도 :
175°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
TO-268
패키지 / 케이스 :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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