GeneSiC Semiconductor - GA20JT12-247

KEY Part #: K6404174

GA20JT12-247 가격 (USD) [2103PC 주식]

  • 510 pcs$12.75739

부품 번호:
GA20JT12-247
제조사:
GeneSiC Semiconductor
상세 설명:
TRANS SJT 1.2KV 20A.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 어레이 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
경쟁 우위:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247 electronic components. GA20JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA20JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA20JT12-247 제품 속성

부품 번호 : GA20JT12-247
제조사 : GeneSiC Semiconductor
기술 : TRANS SJT 1.2KV 20A
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : -
과학 기술 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 20A
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 282W (Tc)
작동 온도 : 175°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : TO-247AB
패키지 / 케이스 : TO-247-3
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • NP60N055VUK-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.

  • NP60N04VUK-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.

  • AUIRLR024Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

  • AUIRFR4292

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

  • IRFR7440PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

  • TK16A60W5,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.