IPG20N10S4L35AATMA1 가격 (USD) [182536PC 주식]
- 1 pcs$0.20263
- 5,000 pcs$0.18591
- 부품 번호:
- IPG20N10S4L35AATMA1
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies IPG20N10S4L35AATMA1 electronic components. IPG20N10S4L35AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N10S4L35AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPG20N10S4L35AATMA1 제품 속성
부품 번호 :
IPG20N10S4L35AATMA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.1V @ 16µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
17.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1105pF @ 25V
전력 - 최대 :
43W
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-PowerVDFN
공급 업체 장치 패키지 :
PG-TDSON-8-10
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