SH8J31GZETB 가격 (USD) [135497PC 주식]
- 1 pcs$0.30177
- 2,500 pcs$0.30027
- 부품 번호:
- SH8J31GZETB
- 제조사:
- Rohm Semiconductor
- 상세 설명:
- 60V PCHPCH MIDDLE POWER MOSFET.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - RF, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 사이리스터 - SCR and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Rohm Semiconductor SH8J31GZETB electronic components. SH8J31GZETB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SH8J31GZETB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SH8J31GZETB 제품 속성
부품 번호 :
SH8J31GZETB
제조사 :
Rohm Semiconductor
기술 :
60V PCHPCH MIDDLE POWER MOSFET
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
FET 특징 :
-
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
40nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2500pF @ 10V
전력 - 최대 :
2W
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 :
8-SOP
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