기술 :
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
FET 유형 :
N and P-Channel, Common Drain
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4.3A, 2.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
800pF @ 40V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD