제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
24V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
37nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
3333pF @ 10V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
4-XFBGA, WLBGA
공급 업체 장치 패키지 :
X1-WLB1818-4