SQJ204EP-T1_GE3 가격 (USD) [144991PC 주식]
- 1 pcs$0.25510
- 부품 번호:
- SQJ204EP-T1_GE3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 사이리스터 - SCR - 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - SCR and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ204EP-T1_GE3 electronic components. SQJ204EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ204EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ204EP-T1_GE3 제품 속성
부품 번호 :
SQJ204EP-T1_GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
20nC @ 10V, 50nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
전력 - 최대 :
27W (Tc), 48W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
PowerPAK® SO-8 Dual
공급 업체 장치 패키지 :
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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