SIZ914DT-T1-GE3 가격 (USD) [4062PC 주식]
- 3,000 pcs$0.32508
- 부품 번호:
- SIZ914DT-T1-GE3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 전원 드라이버 모듈, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 다이오드 - 정류기 - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ914DT-T1-GE3 electronic components. SIZ914DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ914DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ914DT-T1-GE3 제품 속성
부품 번호 :
SIZ914DT-T1-GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
시리즈 :
TrenchFET®
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
16A, 40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
6.4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1208pF @ 15V
전력 - 최대 :
22.7W, 100W
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-PowerWDFN
공급 업체 장치 패키지 :
8-PowerPair®
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