제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
FET 유형 :
4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET 특징 :
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
28A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
49nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
950pF @ 1000V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)