Vishay Siliconix - SI5933DC-T1-GE3

KEY Part #: K6524000

[3977PC 주식]


    부품 번호:
    SI5933DC-T1-GE3
    제조사:
    Vishay Siliconix
    상세 설명:
    MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5933DC-T1-GE3 제품 속성

    부품 번호 : SI5933DC-T1-GE3
    제조사 : Vishay Siliconix
    기술 : MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
    시리즈 : TrenchFET®
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : 2 P-Channel (Dual)
    FET 특징 : Logic Level Gate
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 2.7A
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 250µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 7.7nC @ 4.5V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
    전력 - 최대 : 1.1W
    작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    실장 형 : Surface Mount
    패키지 / 케이스 : 8-SMD, Flat Lead
    공급 업체 장치 패키지 : 1206-8 ChipFET™

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