기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10.3A, 13.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
9.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1150pF @ 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)