[8504PC 주식]
- 부품 번호:
- FQD7P20TF
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) and 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor FQD7P20TF electronic components. FQD7P20TF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD7P20TF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD7P20TF 제품 속성
부품 번호 :
FQD7P20TF
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
시리즈 :
QFET®
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
P-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
5.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
690 mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (최대) :
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
770pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
2.5W (Ta), 55W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
D-Pak
패키지 / 케이스 :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- BUK9E2R3-40E,127
- IPB60R330P6ATMA1
- MCH6344-TL-W
- 2N7002 BK
- IPI80N04S2H4AKSA2
- IPU50R2K0CEBKMA1
- BSF024N03LT3GXUMA1
- FDV302P-NB8V001
- IXFL44N60
- NVTS4409NT1G
- FDD8445-F085
- NTMFS5834NLT1G
- BUK9E04-40A,127
- FQD16N25CTM_F080
- NTMFS4121NT3G
- IPP120N06NGAKSA1
- FQP90N10V2
- E3M0065090D
- FQD10N20TM
- FQI17N08LTU
- NTP13N10G
- NTD14N03R-001
- MGSF1P02LT1
- SPB100N03S2-03
- IRFR3707
- IRFBE30STRR
- PMN23UN,135
- STW17N62K3
- STB16NM50N
- IRFPS3815PBF
- IPB019N08N3GATMA1
- IPC30S2SN08NX2MA1
- IPI120N04S401AKSA1
- NVMFS5C406NT1G
- AUIRFR2407TRL
- SIHD7N60ET4-GE3
- TK7P65W,RQ
- PSMN1R7-30YL,115
- BSL372SNH6327XTSA1
- RCD051N20TL