EPC - EPC2108

KEY Part #: K6524990

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부품 번호 : EPC2108

제조사 : EPC

기술 : GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

시리즈 : eGaN®

부품 상태 : Active

FET 유형 : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET 특징 : GaNFET (Gallium Nitride)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V, 100V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 1.7A, 500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 22pF @ 30V, 7pF @ 30V

전력 - 최대 : -

작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 9-VFBGA

공급 업체 장치 패키지 : 9-BGA (1.35x1.35)

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