Infineon Technologies - IRL6372TRPBF

KEY Part #: K6523183

IRL6372TRPBF 가격 (USD) [239454PC 주식]

  • 1 pcs$0.15447
  • 4,000 pcs$0.13247

부품 번호:
IRL6372TRPBF
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 트랜지스터 - JFET ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL6372TRPBF 제품 속성

부품 번호 : IRL6372TRPBF
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
시리즈 : HEXFET®
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 8.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.1V @ 10µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1020pF @ 25V
전력 - 최대 : 2W
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 : 8-SO

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