IPP048N04NGXKSA1 가격 (USD) [104352PC 주식]
- 1 pcs$0.37470
- 500 pcs$0.32518
- 부품 번호:
- IPP048N04NGXKSA1
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - RF, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 트랜지스터 - IGBT - 모듈 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies IPP048N04NGXKSA1 electronic components. IPP048N04NGXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP048N04NGXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP048N04NGXKSA1 제품 속성
부품 번호 :
IPP048N04NGXKSA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
시리즈 :
OptiMOS™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 200µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
3300pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
79W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
공급 업체 장치 패키지 :
PG-TO220-3
패키지 / 케이스 :
TO-220-3
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- NP40N10VDF-E1-AY
- FDS8449-F085P
- SIR802DP-T1-GE3
- NVMFS5885NLT1G
- HAT2131R-EL-E
- IPU60R950C6AKMA1
- RJK5013DPE-00#J3
- SI4860DY-T1-E3
- IRFH8337TR2PBF
- IPP120N06S4H1AKSA1
- FDS7760A
- 5X49_BG7002B
- NTMS4706NR2
- IXFH23N80Q
- FQP19N20CTSTU
- FDU068AN03L
- FDU8874
- FDS3570
- NDS336P
- NTMS3P03R2G
- NTD23N03R-1G
- IRLR3715TRLPBF
- IRF7451PBF
- TSM6NB60CZ C0G
- NTD60N02RT4
- IRF7807VD1
- SI4410DY
- IRFI744G
- STP12NM60N
- IPL65R070C7AUMA1
- IPP60R120P7XKSA1
- SPA21N50C3XKSA1
- R5011ANJTL
- AOV11S60
- RRH140P03GZETB
- PSMNR70-30YLHX
- IPD65R650CEAUMA1
- BUK7M8R0-40EX
- IRLHS6342TRPBF
- NX138BKR