STMicroelectronics - STL90N10F7

KEY Part #: K6405171

STL90N10F7 가격 (USD) [58646PC 주식]

  • 1 pcs$0.67007
  • 3,000 pcs$0.66673

부품 번호:
STL90N10F7
제조사:
STMicroelectronics
상세 설명:
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 브리지 정류기, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이 and 트랜지스터 - IGBT - 모듈 ...
경쟁 우위:
We specialize in STMicroelectronics STL90N10F7 electronic components. STL90N10F7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL90N10F7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STL90N10F7 제품 속성

부품 번호 : STL90N10F7
제조사 : STMicroelectronics
기술 : MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
시리즈 : DeepGATE™, STripFET™ VII
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 3550pF @ 50V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 5W (Ta), 100W (Tc)
작동 온도 : 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : PowerFlat™ (5x6)
패키지 / 케이스 : 8-PowerVDFN

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
  • SQ3425EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP.

  • IRFR4620TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 24A DPAK.

  • R6030KNXC7

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM.

  • SI1467DH-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6.

  • FDG312P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • IRLMS6702TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP.