기술 :
MOSFET N-CH 30V SOT23
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
5.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
900mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
18.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1150pF @ 15V
전력 발산 (최대) :
510mW (Ta), 6.94W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3