기술 :
MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
50V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
0.9V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
800mV @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
26pF @ 10V