제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET P-CH 20V 0.77A DFN1006-3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
770mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
495 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
700mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1.5nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
76.5pF @ 10V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
3-DFN1006 (1.0x0.6)