STMicroelectronics - STI25NM60ND

KEY Part #: K6415508

[12386PC 주식]


    부품 번호:
    STI25NM60ND
    제조사:
    STMicroelectronics
    상세 설명:
    MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - JFET, 사이리스터 - SCR and 다이오드 - 제너 - 어레이 ...
    경쟁 우위:
    We specialize in STMicroelectronics STI25NM60ND electronic components. STI25NM60ND can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STI25NM60ND, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STI25NM60ND 제품 속성

    부품 번호 : STI25NM60ND
    제조사 : STMicroelectronics
    기술 : MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
    시리즈 : FDmesh™ II
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : N-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 600V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 21A (Tc)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 10.5A, 10V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 5V @ 250µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 80nC @ 10V
    Vgs (최대) : ±25V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 2400pF @ 50V
    FET 특징 : -
    전력 발산 (최대) : 160W (Tc)
    작동 온도 : 150°C (TJ)
    실장 형 : Through Hole
    공급 업체 장치 패키지 : I2PAK
    패키지 / 케이스 : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
    • STT5PF20V

      STMicroelectronics

      MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6.

    • STT2PF60L

      STMicroelectronics

      MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6.

    • STI35N65M5

      STMicroelectronics

      MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK.

    • STI8N65M5

      STMicroelectronics

      MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK.

    • STI12N65M5

      STMicroelectronics

      MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK.

    • STI200N6F3

      STMicroelectronics

      MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK.