기술 :
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
9A, 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1000pF @ 20V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD