ON Semiconductor - FDG6332C-F085P

KEY Part #: K6525488

FDG6332C-F085P 가격 (USD) [571366PC 주식]

  • 1 pcs$0.06474

부품 번호:
FDG6332C-F085P
제조사:
ON Semiconductor
상세 설명:
DUAL NP MOS SC70-6 20V.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 제너 - 어레이, 사이리스터 - SCR and 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG6332C-F085P 제품 속성

부품 번호 : FDG6332C-F085P
제조사 : ON Semiconductor
기술 : DUAL NP MOS SC70-6 20V
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Not For New Designs
FET 유형 : N and P-Channel
FET 특징 : Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, 420 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
전력 - 최대 : 300mW (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 : SC-88/SC70-6/SOT-363

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