기술 :
MOSFET N/P-CH POWERPAK8
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
12A, 9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
48nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1310pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
PowerPAK® SO-8 Dual
공급 업체 장치 패키지 :
PowerPAK® SO-8 Dual