Diodes Incorporated - DMC1030UFDB-13

KEY Part #: K6522430

DMC1030UFDB-13 가격 (USD) [578148PC 주식]

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부품 번호:
DMC1030UFDB-13
제조사:
Diodes Incorporated
상세 설명:
MOSFET BVDSS 8V 24V U-DFN2020-6.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 사이리스터 - SCR, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 사이리스터 - 트라이 액 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMC1030UFDB-13 제품 속성

부품 번호 : DMC1030UFDB-13
제조사 : Diodes Incorporated
기술 : MOSFET BVDSS 8V 24V U-DFN2020-6
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
FET 유형 : N and P-Channel Complementary
FET 특징 : Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
전력 - 최대 : 1.36W (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 6-UDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 : U-DFN2020-6 (Type B)

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