기술 :
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
2.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
290pF @ 6V
패키지 / 케이스 :
6-SMD, Flat Leads