기술 :
MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
15pF @ 25V
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3