ALD114913PAL 가격 (USD) [24306PC 주식]
- 1 pcs$1.69564
- 50 pcs$1.18733
- 부품 번호:
- ALD114913PAL
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 제너 - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 and 트랜지스터 - IGBT - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD114913PAL electronic components. ALD114913PAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD114913PAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ALD114913PAL 제품 속성
부품 번호 :
ALD114913PAL
제조사 :
Advanced Linear Devices Inc.
기술 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
시리즈 :
EPAD®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 특징 :
Depletion Mode
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
10.6V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
500 Ohm @ 2.7V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.26V @ 1µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2.5pF @ 5V
전력 - 최대 :
500mW
작동 온도 :
0°C ~ 70°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급 업체 장치 패키지 :
8-PDIP
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