기술 :
MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 5A, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
75nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1500pF @ 30V
전력 발산 (최대) :
2.5W (Ta), 190W (Tc)
패키지 / 케이스 :
TO-3P-3, SC-65-3