SIHB22N60EL-GE3 가격 (USD) [39951PC 주식]
- 1 pcs$0.97869
- 부품 번호:
- SIHB22N60EL-GE3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 600V 21A TO263.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 사이리스터 - SCR, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - RF, 다이오드 - 정류기 - 단일 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHB22N60EL-GE3 electronic components. SIHB22N60EL-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB22N60EL-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHB22N60EL-GE3 제품 속성
부품 번호 :
SIHB22N60EL-GE3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
197 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
74nC @ 10V
Vgs (최대) :
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1690pF @ 100V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
227W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
TO-263 (D²Pak)
패키지 / 케이스 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- BUK753R4-30B,127
- NP180N055TUJ-E2-AY
- NVMFS5C645NLWFT3G
- AO4476A_103
- NTMFS4C06NT1G-001
- 5HP01C-TB-E
- VS-FA38SA50LCP
- ZXM62P03E6TC
- RJK2508DPK-00#T0
- 2SK4197FS
- SIE820DF-T1-GE3
- IPD60R600CPBTMA1
- AOD456
- AO4409
- SI4833ADY-T1-GE3
- SI3456CDV-T1-E3
- SI1037X-T1-E3
- AUIRFZ44ZS
- IRF7459TRPBF
- NTD60N02RT4G
- BS170_J35Z
- 2SK1374G0L
- FDC3612_F095
- IRFR3806PBF
- NTD3055L104G
- NTD3055-150G
- IRF6622TR1PBF
- IPP120N06NGAKSA1
- FQPF3N80
- IRFBC40
- IRF510S
- BUK953R2-40B,127
- STP11NM60N
- STD12NF06-1
- SUM90220E-GE3
- IPP45N06S4L08AKSA2
- PSMN3R5-40YSDX
- RQ1E100XNTR
- AO4455
- PSMN6R0-30YL,115