[3822PC 주식]
- 부품 번호:
- SI1035X-T1-E3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET N/P-CH 20V SOT563F.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 모듈 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1035X-T1-E3 electronic components. SI1035X-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1035X-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1035X-T1-E3 제품 속성
부품 번호 :
SI1035X-T1-E3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
시리즈 :
TrenchFET®
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
N and P-Channel
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
180mA, 145mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
400mV @ 250µA (Min)
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.75nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
전력 - 최대 :
250mW
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지 :
SC-89-6
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- SI1539DDL-T1-GE3
- NVMFD5489NLWFT3G
- AO4840L
- NTMD2C02R2SG
- NTMFD4C85NT1G
- AO6601_001
- AO4812_101
- IRFH4257DTRPBF
- PMDPB28UN,115
- JAN2N7335
- APTC90AM602G
- AUIRF7309Q
- IRFHM792TR2PBF
- SIZ910DT-T1-GE3
- ECH8662-TL-H
- SI7983DP-T1-GE3
- AO6810
- SP8K3FU6TB
- NTLUD3191PZTAG
- SI4226DY-T1-GE3
- APTM50DHM65TG
- APTM50AM70FT1G
- SI4913DY-T1-E3
- SI1912EDH-T1-E3
- FDR8308P
- BSO303PNTMA1
- ZXMD63C03XTC
- FDS4885C
- MMDF2N02ER2G
- IRF7317PBF
- IRF7306PBF
- SP8M9TB
- IRF7331TR
- SIZ900DT-T1-GE3
- FDS8960C
- BUK7K29-100EX
- IPG20N06S2L50AATMA1
- SQ9945BEY-T1_GE3
- QS6J11TR
- SIL2623-TP