TPD3215M 가격 (USD) [522PC 주식]
- 1 pcs$97.80421
- 10 pcs$93.08330
- 부품 번호:
- TPD3215M
- 제조사:
- Transphorm
- 상세 설명:
- GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - RF, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈 and 사이리스터 - SCR ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Transphorm TPD3215M electronic components. TPD3215M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPD3215M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPD3215M 제품 속성
부품 번호 :
TPD3215M
제조사 :
Transphorm
기술 :
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
시리즈 :
-
부품 상태 :
Obsolete
FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
70A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (최대) @ ID :
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
28nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2260pF @ 100V
전력 - 최대 :
470W
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Through Hole
패키지 / 케이스 :
Module
공급 업체 장치 패키지 :
Module
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