Vishay Siliconix - SI7448DP-T1-GE3

KEY Part #: K6405996

[1472PC 주식]


    부품 번호:
    SI7448DP-T1-GE3
    제조사:
    Vishay Siliconix
    상세 설명:
    MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 다이오드 - 정류기 - 단일, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction and 다이오드 - 제너 - 싱글 ...
    경쟁 우위:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7448DP-T1-GE3 electronic components. SI7448DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7448DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7448DP-T1-GE3 제품 속성

    부품 번호 : SI7448DP-T1-GE3
    제조사 : Vishay Siliconix
    기술 : MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
    시리즈 : TrenchFET®
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : N-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 13.4A (Ta)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 22A, 4.5V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 1.5V @ 250µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
    Vgs (최대) : ±12V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
    FET 특징 : -
    전력 발산 (최대) : 1.9W (Ta)
    작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    실장 형 : Surface Mount
    공급 업체 장치 패키지 : PowerPAK® SO-8
    패키지 / 케이스 : PowerPAK® SO-8

    당신은 또한 관심이있을 수 있습니다