기술 :
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
FET 특징 :
Logic Level Gate, 4V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 1.5A, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
505pF @ 20V
패키지 / 케이스 :
8-SMD, Flat Lead
공급 업체 장치 패키지 :
SOT-28FL/VEC8