제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
180mA, 100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
9.5pF @ 3V
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666
공급 업체 장치 패키지 :
ES6 (1.6x1.6)