기술 :
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 특징 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
120V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 700µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
80pF @ 60V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)