제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
420A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 300A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
21nF @ 25V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)