Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K56CT,L3F

KEY Part #: K6418258

SSM3K56CT,L3F 가격 (USD) [1425630PC 주식]

  • 1 pcs$0.02868
  • 10,000 pcs$0.02854

부품 번호:
SSM3K56CT,L3F
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
상세 설명:
MOSFET NCH 20V 800MA CST3.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K56CT,L3F 제품 속성

부품 번호 : SSM3K56CT,L3F
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : MOSFET NCH 20V 800MA CST3
시리즈 : U-MOSVII-H
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 800mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
Vgs (최대) : ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 55pF @ 10V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 500mW (Ta)
작동 온도 : 150°C (TA)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : CST3
패키지 / 케이스 : 3-XFDFN

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