제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET NCH 20V 800MA CST3
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
800mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
55pF @ 10V