기술 :
MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
250V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
600mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
6.5 Ohm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
2.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
140pF @ 20V
공급 업체 장치 패키지 :
SOT-89/PCP-1