IXFN360N10T 가격 (USD) [4454PC 주식]
- 1 pcs$10.21113
- 10 pcs$9.28175
- 25 pcs$8.58569
- 100 pcs$7.50464
- 250 pcs$6.84247
- 500 pcs$6.40102
- 부품 번호:
- IXFN360N10T
- 제조사:
- IXYS
- 상세 설명:
- MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 브리지 정류기, 전원 드라이버 모듈 and 트랜지스터 - IGBT - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in IXYS IXFN360N10T electronic components. IXFN360N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN360N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN360N10T 제품 속성
부품 번호 :
IXFN360N10T
제조사 :
IXYS
기술 :
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
시리즈 :
HiPerFET™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
360A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
2.6 mOhm @ 180A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
505nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
36000pF @ 25V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
830W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
공급 업체 장치 패키지 :
SOT-227B
패키지 / 케이스 :
SOT-227-4, miniBLOC
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