기술 :
FET ENGR DEV-NOT REL
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Common Source
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
28A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
2.12 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
90nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
5035pF @ 15V
전력 - 최대 :
2.1W (Ta), 29W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
8-PQFN (3.3x5)