부품 번호 :
BUK9MJT-55PRF,518
기술 :
MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
55V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
13.8 mOhm @ 10A, 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
패키지 / 케이스 :
20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)