Infineon Technologies - IPG20N06S4L14ATMA2

KEY Part #: K6525249

IPG20N06S4L14ATMA2 가격 (USD) [148419PC 주식]

  • 1 pcs$0.24921
  • 5,000 pcs$0.22861

부품 번호:
IPG20N06S4L14ATMA2
제조사:
Infineon Technologies
상세 설명:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 전원 드라이버 모듈 and 다이오드 - 브리지 정류기 ...
경쟁 우위:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N06S4L14ATMA2 electronic components. IPG20N06S4L14ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S4L14ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N06S4L14ATMA2 제품 속성

부품 번호 : IPG20N06S4L14ATMA2
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET 2N-CH 8TDSON
시리즈 : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 13.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.2V @ 20µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 39nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 2890pF @ 25V
전력 - 최대 : 50W
작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-PowerVDFN
공급 업체 장치 패키지 : PG-TDSON-8-4

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다