FDMS1D2N03DSD 가격 (USD) [74089PC 주식]
- 1 pcs$0.52775
- 부품 번호:
- FDMS1D2N03DSD
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- PT11N 30/12 PT11N 30/12.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 제너 - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor FDMS1D2N03DSD electronic components. FDMS1D2N03DSD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS1D2N03DSD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMS1D2N03DSD 제품 속성
부품 번호 :
FDMS1D2N03DSD
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
PT11N 30/12 PT11N 30/12
시리즈 :
PowerTrench®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3.25 mOhm @ 19A, 10V, 0.97 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
33nC @ 10V, 117nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
전력 - 최대 :
2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-PowerWDFN
공급 업체 장치 패키지 :
8-PQFN (5x6)
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