제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
650mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
60pF @ 12V
패키지 / 케이스 :
6-SMD, Flat Leads