기술 :
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
540pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)