제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
59A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.5V @ 6mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
540nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
13600pF @ 100V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)