Microsemi Corporation - APTC60AM35T1G

KEY Part #: K6522593

APTC60AM35T1G 가격 (USD) [2098PC 주식]

  • 1 pcs$20.63798
  • 100 pcs$20.08387

부품 번호:
APTC60AM35T1G
제조사:
Microsemi Corporation
상세 설명:
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - 특수용, 전원 드라이버 모듈 and 사이리스터 - SCR ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60AM35T1G 제품 속성

부품 번호 : APTC60AM35T1G
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 : Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 72A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3.9V @ 5.4mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 518nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 14000pF @ 25V
전력 - 최대 : 416W
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : SP1
공급 업체 장치 패키지 : SP1

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