부품 번호 :
IPG20N10S4L22AATMA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.1V @ 25µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1755pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
PG-TDSON-8-10