NTLJD3115PT1G 가격 (USD) [432588PC 주식]
- 1 pcs$0.08550
- 3,000 pcs$0.08146
- 부품 번호:
- NTLJD3115PT1G
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 상세 설명:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - 특수용 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in ON Semiconductor NTLJD3115PT1G electronic components. NTLJD3115PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLJD3115PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTLJD3115PT1G 제품 속성
부품 번호 :
NTLJD3115PT1G
제조사 :
ON Semiconductor
기술 :
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
531pF @ 10V
전력 - 최대 :
710mW
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
6-WDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
6-WDFN (2x2)
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