제조사 :
Renesas Electronics America Inc.
기술 :
MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10.1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
11nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
900pF @ 10V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
4-QFN (2x2)